全球AI投资热潮驱动存储需求激增，NAND市场供需失衡加剧。据首尔经济新闻，三星电子计划将第二季度主要NAND产品供货价格涨幅设定在与今年一季度相近的水平。

据华尔街见闻此前发布文章，三星电子一季度NAND价格上�%，DRAM价格同样上�%。这意味着其NAND供货价格较去年年底已累计上涨约两倍。

据首尔经济新闻援引专业人士表示，内存制造商的议价能力已达到前所未有的高度，下游需求厂商将不得不接受三星电子提出的价格。与此同时，SK海力士、铠侠（Kioxia）等其他制造商也在筹备进一步涨价。

AI推理需求爆发，NAND供不应求

NAND价格大幅攀升的核心驱动力来自AI技术演进带来的存储需求扩张。随着AI从数据训练阶段向理解和处理用户请求的推理阶段迭代，海量数据存储的需求显著提升，NAND的战略价值随之上升。

与此同时，大型科技公司持续加码AI数据中心建设，存储设备采购需求同步急剧增长，进一步拉动NAND价格上行。

市场研究机构DRAMeXchange数据显示，NAND通用产�Gb多层单元（MLC）的平均固定交易价格上月已飙升�.67美元，环比上�.9%，较一年前则暴�.3%。

供给端持续收缩，制造商议价权显著增强

供给侧的主动收缩是此轮价格强势的另一关键因素。NAND市场排名第一、第二的三星电子与SK海力士，近期均将资源重心转向高带宽内存（HBM）等高附加值产品，大幅削减NAND产能。去年启动的减产效应仍在持续释放，市场供给的结构性收紧短期内难以逆转。

据首尔经济新闻，在制造商掌握强势定价权的背景下，即便各家最终成交价格因客户不同而略有差异，三星电子所确定的涨价幅度大体上将被市场接受，且整体NAND价格的上行趋势预计将延续一段时间。

涨价潮蔓延，行业跟进预期强烈

三星电子作为全球NAND市场龙头，其定价动向历来对行业具有风向标意义。上述行业专业人士透露，SK海力士和铠侠等主要竞争对手均在准备跟进涨价，NAND市场整体提价的联动效应已初步形成。

对投资者而言，NAND供货价格的持续上涨有望直接改善相关内存厂商的盈利能力。在AI基础设施投资周期尚未见顶、头部厂商产能重心向HBM倾斜的双重背景下，NAND市场的供需紧张格局及价格强势或将贯穿更长周期。